Demirgazyk Amerikada geçirilen tehnologik simpoziumyň dowamynda, TSMC taýwan kompaniýasy täze 1,4-nm tehnologiýasyny – Gate-All-Around (GAA) ikinji nesil tranzistorlara esaslanýan A14 tehprosessini hödürledi. 2-nm N2 bilen deňeşdirilende, täze tehnologiýa şol bir energiýany sarp etmek bilen öndürijiligi 15%-e çenli artdyrýar ýa-da hasaplaýyş güýjüni ýitirmän, energiýanyň sarp edilişini 30%-e çenli azaltmaga mümkinçilik berýär. Bu barada «Nikkei Asia» habar berýär.
Ozalky tehprosesslerden tapawutlylykda, A14 düýbünden täzeden işlenip düzüldi: ony häzirki çip dizaýnlary bilen ulanmak mümkin däl. Şeýle-de ol N2P we geljekki A16 tehnologiýalaryndan düýpgöter tapawutlanýar. Aýratynam, A14-üň esasy wersiýasy güýç üpjünçiliginiň arka tarapdan berilmegini (BSPDN) goldamaýar, bu bolsa bahanyň pese gaçmagyna getirýär, ýöne ýokary arabaglanyşyk dykyzlygynyň talap edilýän taslamalary üçin mümkinçilikleri çäklendirýär.
A14 tehnologiýasynyň esasy täzeligi bolsa – NanoFlex Pro atly standart öýjük arhitekturasy boldy. Bu ulgam öndürijilik, energiýanyň sarp edilişi we çip meýdanynyň arasynda çeýe deňagramlylygy üpjün edýär we taslamanyň hem-de önümçiligiň bilelikdäki optimizasiýasyny (DTCO) has-da gowulandyrýar.
A14 tehprosessi esasynda, çipleriň köpçülikleýin önümçiligine 2028-nji ýylda başlamak meýilleşdirilýär. Güýç ulgamy BSPDN bilen üpjün edilen wersiýanyň (çaklanylmagyna görä, A14P) bolsa bir ýyl soň – 2029-njy ýylda peýda bolmagyna garaşylýar. Şeýle-de 2026-njy ýylda N2P we A16 tehprosessleriniň hem peýda bolmagyna garaşylýar.
