Американским ученым удалось создать накопитель памяти толщиной в один атом. Плотность записи информации на таком носителе примерно в 100 раз превышает показатели современных флэш-накопителей. Устройство описано в научной статье, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology, передает ТАСС.
Так называемые «мемристоры» работают быстрее современной флэш-памяти, кроме того, на них можно записать гораздо больше данных при том же размере устройства.
До недавнего времени ученые утверждали, что тончайшие материалы не могут быть мемристорами, однако американским исследователям во главе с Деджи Акинванде из Техасского университета в Остине (США) удалось опровергнуть это утверждение. Он вместе с коллегами создал миниатюрное устройство на основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS2). Его площадь составляет всего один квадратный нанометр.
Тесты показали, что плотность записи информации на него может составлять около 25 ТБ/см2. Это примерно в 100 раз больше, чем у современных флэш-накопителей.
Если такие устройства дойдут до промышленного производства, то станут основой для нейроморфных вычислительных систем, новых систем радиосвязи и многого другого, считают ученые.
